化學氣相沉積法簡介

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化學氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反響，生成固態(tài)物質堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進而制得固體資料的工藝技術。它本質上歸于原子領域的氣態(tài)傳質進程。

化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機資料的新技術?；瘜W氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進程準確操控。現(xiàn)在，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

方箱PECVD簡介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構，手動前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)； 停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，等離子化學氣相沉積設備哪家好，采用日本進口控溫表進行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，等離子化學氣相沉積設備廠家，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質量流量控制器控制進氣。

11. 系統(tǒng)設有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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化學氣相沉積的過程介紹

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具體說來，基于輝光放電方法的PECVD技術，等離子化學氣相沉積設備價格，能夠使得反應氣體在外界電磁場的激勵下實現(xiàn)電離形成等離子體。在輝光放電的等離子體中，電子經(jīng)外電場加速后，其動能通常可達10eV左右，甚至更高，足以破壞反應氣體分子的化學鍵，等離子化學氣相沉積設備，因此，通過高能電子和反應氣體分子的非彈性碰撞，就會使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴散到達管壁和襯底。這些粒子和基團（這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團）在漂移和擴散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會發(fā)生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。到達襯底并被吸附的化學活性物（主要是基團）的化學性質都很活潑，由它們之間的相互反應從而形成薄膜。

沈陽鵬程公司-等離子化學氣相沉積設備廠家由沈陽鵬程真空技術有限責任公司提供。沈陽鵬程真空技術有限責任公司是從事“電阻熱蒸發(fā)鍍膜，磁控濺射，激光脈沖沉積，電子束”的企業(yè)，公司秉承“誠信經(jīng)營，用心服務”的理念，為您提供更好的產(chǎn)品和服務。歡迎來電咨詢！聯(lián)系人：董順。