磁控濺射鍍膜機(jī)的工作原理是什么？

磁控濺射原理：電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng)，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì)。以上就是關(guān)于磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話。磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用（ E X B drift）使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場(chǎng)磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會(huì)對(duì)成膜有很大關(guān)系。在E X B shift機(jī)理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場(chǎng)方向，電壓電流大小而已

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年磁控濺射產(chǎn)品行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，專注磁控濺射產(chǎn)品研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進(jìn)的磁控濺射產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?！

濺射鍍膜的特點(diǎn)

濺射就是從靶表面撞擊出原子物質(zhì)的過(guò)程。濺射產(chǎn)生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過(guò)程就是濺射鍍膜。

濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點(diǎn):

1.任何物質(zhì)都可以濺射, 尤其是高熔點(diǎn)金屬、低蒸氣壓元素和化合物;

2.濺射薄膜與襯底的附著性好;

3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;

4.膜層厚度可控性和重復(fù)性好。

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自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6 Torr的真空。一般磁控濺射選的是耐溫120度或者150度的即便如此溫度也不宜太高通常冷卻水溫度不宜高過(guò)40度，這樣就不會(huì)出現(xiàn)磁鐵損壞、導(dǎo)致涂層不均勻、電壓升高、沉積速率降低等問(wèn)題。通過(guò)調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個(gè)2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。

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自動(dòng)磁控濺射系鍍膜機(jī)介紹

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自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)選配項(xiàng)：

RF、DC濺射

熱蒸鍍能力

RF或DC偏壓（1000V）

樣品臺(tái)可加熱到700°C

膜厚監(jiān)測(cè)儀

基片的RF射頻等離子清洗

應(yīng)用：

晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質(zhì)涂覆

光學(xué)以及ITO涂覆

帶高溫樣品臺(tái)和脈沖DC電源的硬涂覆

帶RF射頻等離子放電的反應(yīng)濺射