干法刻蝕

干法刻蝕種類很多，聚焦離子束刻蝕機(jī)廠家，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無化學(xué)廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點(diǎn)是：成本高，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程（如*式，聚焦離子束刻蝕機(jī)生產(chǎn)廠家，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學(xué)過程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）。另外，化學(xué)機(jī)械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。

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離子束刻蝕機(jī)

離子束刻蝕是利用離子束直接轟擊工件，將工件上的材料濺射出來，實(shí)現(xiàn)材料去除的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率較高、陡直性較好的特點(diǎn)。應(yīng)用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。

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反應(yīng)性離子刻蝕

以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容，創(chuàng)世威納**生產(chǎn)反應(yīng)性離子刻蝕機(jī)，歡迎新老客戶蒞臨。

反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時(shí)，聚焦離子束刻蝕機(jī)，利用反應(yīng)性氣體的離子束，聚焦離子束刻蝕機(jī)報(bào)價(jià)，切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。

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