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創(chuàng)世威納科技(多圖)-磁控濺射裝置

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發(fā)布時間:2020-12-05 08:03  






磁控濺射鍍膜的優(yōu)點

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術之一,磁控濺射鍍膜技術正廣泛應用于透明導電膜、光學膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜,在國1防和國民經濟生產中的作用和地位日益強大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性,沉積速率,靶材利用率等方面的問題是實際生產中十分關注的。磁控濺射鍍膜儀廠家?guī)懔私飧啵?/p>

磁控濺射技術發(fā)展過程中各項技術的突破一般集中在等離子體的產生以及對等離子體進行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制,使膜層質量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

膜厚均勻性與磁控濺射靶的工作狀態(tài)息息相關,如靶的刻蝕狀態(tài),靶的電磁場設汁等。

濺射鍍膜膜厚均勻性是間接衡量鍍膜工藝的標準之一,磁控濺射裝置,它涉及鍍膜過程的各個方面。因此,制備膜厚均勻性好的薄膜需要建立一個濺射鍍膜膜厚均勻性綜合設計系統(tǒng),對濺射鍍膜的各個方面進行分類、歸納和總結,找出其內在聯(lián)系。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運行,從而增大電子撞擊ya氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點火和濺射很方便。這是因為靶(陰極),等離子體,和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了。

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磁控濺射鍍膜機的工作原理

控濺射原理電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞,電離出大量的離子和電子,電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內,該區(qū)域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材,經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,終沉積在基片上。 磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。 在機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向,電壓電流大小而已。

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磁控濺射鍍膜設備及技術

(專利技術)該設備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜(MSP)技術性,是這種智能、率的鍍膜設備??梢罁?jù)客戶規(guī)定配備轉動磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關電源等,組態(tài)靈便、主要用途普遍,主要用于金屬材料或非金屬材料(塑膠、夾層玻璃、瓷器等)的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜,所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強等特性,可普遍用以電器產品、時鐘、陶瓷藝術品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設備等表層裝飾藝術鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴技術性的特性(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳,為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層,提升了結晶中缺點的相對密度,比傳統(tǒng)式的汽體滲擴技術性速率明顯增強。在一樣加工工藝標準下,滲層深度1在0.05二以內,比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下,1h就能達lmm厚。(2)對鋼件表層改..

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