離子束刻蝕機

離子束技術的應用涉及物理、化學、生物、材料和信息等許多學科的交叉領域。離子束加工在許多精密、關鍵、高附加值的加工模具

等機械零件的生產中得到了廣泛應用。一些國家用于軍事裝備的建設上，如改善蝸輪機主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機閥門和活塞的性能。離子注入半導體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細加工的關鍵工藝，導致出現了80年代集成電路產業(yè)的騰飛。

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離子束刻蝕機

離子束刻蝕是從工件上去除材料，是一個撞擊濺射過程。

當離子束轟擊工件，大樣片離子束刻蝕機安裝，入射離子與靶原子碰撞時將動能傳遞給靶原子，使其獲得的能量超過原，子的結合能，導致靶原子發(fā)生濺射，大樣片離子束刻蝕機，從工件表，大樣片離子束刻蝕機供應商，面濺射出來，以達到刻蝕的目的。

刻蝕加工時，對離子入射能量、束流大小、離子入射角度以及工作室壓力都需要根據不同的加工需求進行調整。

離子束刻蝕可以在加工、表面拋光、石英晶體諧振器制作等方面得到應用。

反應離子刻蝕的操作方法

通過向晶片盤片施加強RF（射頻）電磁場，在系統中啟動等離子體。該場通常設定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場通過剝離電子來電離氣體分子，從而產生等離子體 [3]  。在場的每個循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時撞擊室的上壁和晶片盤。同時，響應于RF電場，更大質量的離子移動相對較少。當電子被吸收到腔室壁中時，它們被簡單地送到地面并且不會改變系統的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產生大的負電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學反應，但也可以通過轉移一些動能來敲除（濺射）某些材料。由于反應離子的大部分垂直傳遞，反應離子蝕刻可以產生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學蝕刻的典型各向同性輪廓形成對比。RIE系統中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數，大樣片離子束刻蝕機哪家好，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進版本是深反應離子蝕刻，用于挖掘深部特征。

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