磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點

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(1)工件變形小 由于工件表面均勻覆蓋輝光，溫度一致性好，大樣片磁控濺射鍍膜機原理，可以通過控制功率輸出來實現(xiàn)均勻升溫。另陰極濺射抵消了滲人元素引起的尺寸擴一大

(2) 滲層的組織和結(jié)構(gòu)易于控制 通過調(diào)整工藝參數(shù)，可得到單相或多相的滲層組織

(3)工件無須附加清理 陰極濺射可以有效去除氧化膜，凈化工件表面，同時真空處理無新生氧化膜，這些都減少了附加設(shè)備和工時，降低了成本。

(4) 防滲方便 不需滲的地方可簡單地遮蔽起來，對環(huán)境無公害，無污染，勞動條件好。

(5) 經(jīng)濟效益高，能耗小 雖然初始設(shè)備投資較大，但工藝成本極低，是一種廉價的工程技術(shù)方法。此外，離子轟擊滲擴技術(shù)易實現(xiàn)工藝過程或滲層質(zhì)量的計算機控制，質(zhì)量重復(fù)性好，可操作性強。

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，大樣片磁控濺射鍍膜機，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，大樣片磁控濺射鍍膜機安裝，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶zhong毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。

磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應(yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，大樣片磁控濺射鍍膜機工作原理，在濺射沉積光學(xué)膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進行了改進，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學(xué)級別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

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